- Il lavoro si è basato sulle proprietà magnetiche ed elettroniche della ferrite di bismuto.
Una ricerca condotta dal Centro di Fisica dei Materiali di San Sebastián in collaborazione con l’Università Tecnologica di Pechino (Cina) ha scoperto un semiconduttore per dispositivi di archiviazione di informazioni di nuova generazione resistente alle interruzioni di corrente.
Ferrite di bismuto rivoluziona le memorie RAM: dati al sicuro anche senza alimentazione
Secondo quanto riportato in una nota dal Centro di Fisica dei Materiali (promosso dal Consiglio Superiore delle Ricerche Scientifiche e dall’Università dei Paesi Baschi), questo progresso potrebbe portare a applicazioni più economiche ed efficaci nei dispositivi di archiviazione dati.
Il lavoro svolto dal team di ricerca si è basato sulle proprietà magnetiche ed elettroniche della ferrite di bismuto, modificandone la struttura atomica e aprendo così la strada a dispositivi di memoria a basso consumo e alta capacità.
Le ricerche condotte hanno dimostrato che nelle memorie ad accesso casuale (RAM) basate su questo tipo di materiali le informazioni rimangono memorizzate in modo sicuro anche in caso di interruzione dell’alimentazione elettrica.
Al contrario, nella memoria dinamica ad accesso casuale, molto utilizzata nei computer, le informazioni vanno completamente perse se viene interrotta l’alimentazione elettrica, sottolinea la nota.
